بیست کشور برتر تولید علوم نانو در سال 2014 مشخص شدند
بر اساس آمار استت نانو، در سال 2014 در حدود ۹ درصد از یک میلیون و سیصد هزار مقاله‌ای که در بانک اطلاعات Web of Science نمایه شده‌اند به حوزه علوم و فناوری نانو مربوط می‌شوند. ایران با اختصاص ۴.۲۵ درصد از مقالات فناوری نانوی دنیا به خود، در جایگاه هفتم این رتبه بندی تثبیت شد.
بر اساس آمار استت نانو در سال 2014، نزدیک به یک میلیون و سیصد هزار مقاله در بانک اطلاعات Web of Science نمایه شده‌است که از این تعداد حدود 9 درصد به حوزه علوم و فناوری نانو مربوط می‌شود. جمهوری اسلامی ایران با اختصاص ۴.۲۵ درصد از مقالات فناوری نانوی دنیا به خود، در جایگاه هفتم این رتبه بندی تثبیت شد. کشورهای چین، ایالات متحده و هند بیشترین تعداد مقالات مرتبط با فناوری نانو را در سال 2014 داشته‌اند.
چین همچنان رتبه اول را در اختیار دارد و با رشد مستمر، فاصله خود را با سایر کشورها بیشتر کرده است. بیش از یک سوم از مقالات نانو را محققان چینی منتشر کرده‌اند و پس از آن، آمریکا با ۱۷.۳ درصد و هند با ۷.۳ درصد در رده‌های بعدی قرار دارند.
فهرست 20 کشور اول در تولید علوم نانو در جدول 1 نمایش داده شده است. عربستان صعودی با رشد 31 درصدی، بیشترین رشد را نسبت به سال 2013 داشته و از رتبه 23 به رتبه 19 صعود کرده است. پس از عربستان، هند با 12 درصد بیشترین رشد را داشته است.
هم‌اکنون عربستان پس از ایران، در رده دوم کشورهای اسلامی در انتشار مقالات نانو ایستاده است. ایران نیز از رتبه هشتم در سال 2013 به رتبه هفتم رسیده است.
جدول1: بیست کشور اول دنیا در تولید علوم نانو در سال 2014
جدول2 نیز تعداد کل مقالات علمی (اعم از نانو و غیر نانو) که توسط 20 کشور اول دنیا منتشر شده‌اند را نشان می‌دهد. مطابق این آمار، آمریکا با سهم بیش از 26 درصد از کل مقالات علمی این سال در رتبه اول قرار دارد. چین، آلمان و انگلستان رده‌های بعدی را در اختیار دارند. در بین کشورهای برتر در این زمینه، چین با ۴.۶ درصد رشد نسبت به سال 2013، بیشترین رشد را داشته ولی همچنان در رده دوم قرار دارد. ایران سوئیس و هند نیز نسبت به سال گذشته، یک تا دو پله صعود داشته‌اند.
جدول2: بیست کشور اول دنیا بر اساس تعداد کل مقالات علمی در سال 2014
مروری مختصر بر لایه‌نشانی اتمی: از مبانی تا کاربردها
لایه‌نشانی اتمی (ALD) یک تکنیک فاز بخار است که قادر به تولید لایه های نازک از مواد مختلف است. بر پایه واکنش های خود محدودکننده و متوالی، لایه‌نشانی اتمی یک همدیسی استثنایی در ساختارهای با نسبت سطح بالا، کنترل پذیری ضخامت در حد آنگستروم و ترکیب فیلم تنظیم پذیر را ارائه می دهد. با توجه به این مزایا، لایه‌نشانی اتمی به عنوان یک ابزار قدرتمند برای بسیاری از کاربردهای تحقیقاتی و صنعتی شناخته شده است. در این مقاله، مقدمه‌ای مختصر برای لایه‌نشانی اتمی خواهیم داشت و سپس چند کاربرد انتخابی شامل سلول های خورشیدی Cu (In,Ga) Se2، ترانزیستورهای با ضریب دی الکتریک بالا (high-k) و پیل سوختی اکسید جامد را بررسی خواهیم کرد.
این نمونه ها برای نشان دادن موارد زیر انتخاب شده اند:
فناوری های مختلفی که از لایه‌نشانی اتمی تأثیر می پذیرند.
طیفی از موادی که تکنیک لایه‌نشانی اتمی می‌تواند بنشاند( از اکسید فلزات همانند Zn1-xSnxOy، ZrO2، Y2O3 تا فلزات نجیبی مانند پلاتین) راهی که از آن مشخصه های منحصربه‌فرد لایه‌نشانی اتمی می تواند سطوح جدید عملکردی را ایجاد کند و ما را به فهم بنیادی عمیق تری برساند.
فهرست ماهنامه شماره 208
نانو در ایران
پژوهش در ایران
مقالات
اخبار مدیران
اخبار پژوهشگران
